托台积电造芯 英特尔遭分析师怒呛“再不可信”

来源:CNBETA  责任编辑:小易  

制程排名:英特尔>台积电>三星>联华电子AMD显卡是台积电制造,NVIDIA显卡也是台积电制造,AMD处理器大部分是GlobalFoundries 格罗方德制造;NVIDIA没有x86处理器;英特尔处理器是自己制造的www.zgxue.com防采集请勿采集本网。

上周四,美国半导体厂商英特尔宣布7nm制程延迟,或将委托第三方代工厂。消息一出,资本市场反应剧烈,英特尔股价次日重挫16.2%,其竞争对手AMD股价涨幅达16.5%。周一早间(7月27日),台湾《工商时报》报道,英特尔已与中国台湾芯片制造厂商台积电达成协议,明年开始采用后者7nm的优化版本6nm制程量产处理器或显卡,预估投片量将达到18万片。

CPU门事件背景: iPhone6s与iPhone6s Plus苹企业同使用三星与台积电代工A9芯片按惯例看三星产A9芯片使用14纳米制造工艺并且三星着熟苹A系处理器代工经验相比台积电

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技术很先进的 假象, 后来台积电也无奈为满足宣传需要跟进修改了参数标识,将同样级别的技术标称了16nm 。 最后的表现就是14nm还不如人家的16 ,两个都是intel20nm级别的

对此,美国投行Cowen & Co.分析师指出,英特尔采取第三方代工的做法意味着半导体行业的一个巨大转变,该公司最大的差异化优势也将不复存在。

“CPU门”事件背景: 在iPhone6s与iPhone6s Plus中,苹果企业同时使用了三星与台积电代工的A9芯片。按惯例来看,三星生产的A9芯片因为使用的是14纳米制造工艺,并且三星

台媒同时报道称,AMD希望在英特尔先进制程延迟的情况下,拿下更多X86处理器市场占有率,所以也将争夺台积电产能,其明年投片量相比今年约增加一倍,将成为后者明年7nm工艺的最大客户。

这个需要去问英特尔三星高管,我们这些普通人不太清楚。可以提问问下英特尔三星高管的电话。

图片来源:台湾《工商时报》

英特尔拿下了苹果最新iPhone调制解调器芯片的部分订单,但从外界的分析看,拿下这个 台积电制造的基于ARM架构的10nm制程。 与创新的保守相比,英特尔在营销策略上则显

在上周四的财报电话会议上,英特尔CEO鲍勃·斯旺透露,由于在7nm制程存在“缺陷模式”,目前良率比内部目标落后约12个月,而基于7nm制程的处理器上市将延迟6个月时间,最晚要等到2023年。

台积电花钱写的软文而已,就为那点续航大家都去买6SP好了。 这广告做的好,以后国产机上三千价位就有理由吹了。 不过台积电干不过英特尔还是不争的事实,16nm对手机究

反观其主要对手AMD,由于在2018年开始采用台积电7nm工艺,去年到今年持续“蚕食”英特尔市占率。因此,后者是否更倾向Fabless(无晶圆厂设计)模式,已成为全球半导体业界广泛关注的话题。

台积电是一个半导体加工企业,之前还有传言英特尔和台积电合作开发凌动低耗CPU,所以他是有能力制造的,但相比PC来说,有AMD和英特尔坐镇,如果他再出自己品牌可能难以

在鲍勃·斯旺透露将委托第三方代工后,《工商时报》报道,英特尔10nm的晶体管密度略优于台积电的7nm工艺,与后者6nm相当。下半年双方将开始合作,把英特尔部分10nm处理器或显卡的光罩重新设计以符合台积电制程,明年前者将开始采用台积电6nm生产,已预订18万片产能。

因为华为自己没有生产线,目前中国大陆还没有能达到与台积电生产工艺相近的生产线,现在世界上能够代工生产这么高工艺的芯也只有三四家公司,分别是三星,台积电和英特尔

事实上,在价值4000亿美元的全球半导体产业中,外包生产是一种常态。但在近50年来,英特尔一直将芯片设计与内部生产结合在一起,该公司最近甚至还计划为其他公司大量生产处理器。

因为华为自己没有半导体IC生产线,只负责海思麒麟处理器的设计研发,流片定型、后续生产都外包给了台积电。 现在国际上工艺最先进的半导体光刻机,基本上都被英特尔、三星

而产能不足一直在困扰着英特尔,其10nm工艺原计划2017年量产,但直到最近才开始大规模生产。

在近乎一平方厘米内集成了55亿个晶体管。如今可以对其进行量产全国只有台积电一家,国外企业也只有三星和英特尔可以做到。如果华为想要在芯片制造领域上有所成就的话

据彭博社报道,在英特尔宣布7nm工艺延迟后,桑福德伯恩斯坦公司(Sanford Bernstein)分析师Stacy Rasgon直言:“不用再说什么了,无论他们有多少可信度,现在都已经失去了。”

不知道楼主说的是什么设备。 如果是苹果手机,一般同款处理器下,台积电的技术更成熟,发热量低,续航时间长一点,三星的则差一点,没有INTEL代工的苹果处理器,无法去对比。 从

Cowen & Co.分析师马特·拉姆齐(Matt Ramsay)则认为,采取外包做法将意味着行业的一个巨大转变,英特尔最大的差异化优势(differentiator)也将不复存在。

相同制程的情况下,英特尔的工艺更为优秀,英特尔同制程的栅极间距更小。 三星14nm、台积电16nm 几乎相当于英特尔的22nm。

他表示,英特尔让台积电代工并不容易,与前者竞争的其他客户可能会反对台积电优先考虑英特尔的需求。并且,台积电可能不愿为英特尔增加大量新产能,因为后者日后有可能转回自己的工厂。

台积电是台湾公司,国际市场排名仅次于美国英特尔和韩国三星。

与此同时,《工商时报》报道,AMD年底前将开始进行Zen 3架构处理器及RDNA 2图形芯片转换,在英特尔制程推进延迟情况下,前者有望争取到更多X86处理器市占率,所以将加大对台积电投片量,预计明年全年将拿下20万片7nm/7nm+产能,与今年相比约增加一倍,将成为台积电明年7nm制程最大客户。

根据该报道,台积电下半年开始将部分7nm产能转换为6nm,年底将进入量产,由于美国对于华为禁令至今没有松动迹象,市场原本预期台积电没有海思订单,将导致明年7nm世代制程出现产能空缺。

不过,随着英特尔确定委托台积电代工并预订明年6nm产能,AMD又扩大下单拿下多数7nm/7nm+产能,台积电明年上半年先进制程仍将维持满载。

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英特尔旗舰店

英特尔、台积电以及IBM三家企业在逻辑LSI的微细化方面处于领先地位。这三家企业在最尖端工艺—16/14nm技术上存在哪些战略差异呢?  在2015年1月30日于东京举行的研讨会—SPI论坛“三维工艺的障碍与解决方案”(主办:日本Semiconductor Portal公司)上,东京大学生产技术研究所的教授平本俊郎登台发表了演讲。他以“从2014 IEDM看16/14nm FinFET技术的最新趋势”为题,围绕各企业在半导体元件相关国际学会上发表的内容,介绍了尖端CMOS技术的趋势。  平本首先指出,尖端CMOS技术开发已从22/20nm工艺过渡至16/14nm工艺,采用块硅基板的平面构造MOSFET(平面块体MOSFET)随之完全销声匿迹。原因是平面块体MOSFET很难充分减轻短通道效应及不稳定现象。  这样一来,16/14nm工艺便形成了采用块硅基板的FinFET(块体FinFET)、采用SOI(silicon on insulator)基板的FinFET(SOI FinFET)、采用SOI基板的平面构造全耗尽型晶体管(FDSOI)三足鼎立的局面。选择其中的哪一种“取决于各公司的战略,但主流肯定是块体 FinFET”。  在2014年12月举行的“2014年IEEE电子器件国际会议(IEDM 2014)”上,英特尔、台积电及IBM就16/14nm工艺技术展开了较量。这一技术在逻辑LSI领域相当于最尖端工艺,部分产品已开始量产。  英特尔坚持摩尔定律  首先是英特尔。该公司发布的是14nm工艺块体FinFET技术,这是继22nm工艺之后的第2代FinFET技术。英特尔使用自对准(self- align)方式双重曝光技术,实现了Fin间距为42nm、栅极间距为70nm、金属(M2)间距为52nm的“极为细密的图案。在14nm工艺中实现 这么小的数值,很了不起”。  第2代FinFET与第1代相比,通过减小Fin宽度并增加高度,在微细化的同时兼顾了电流驱动力的改善。栅极长度约为20nm。其另一个特点是,为了减小布线延迟,在层间绝缘膜中导入了气隙。  一般来说,FinFET即便不在通道中添加杂质,也可调整阈值电压,因此对不稳定的耐受能力很强。但实际上,英特尔通过掺杂调整了阈值电压。对Fin实施了固体源极(solid-state)掺杂。即便如此,阈值电压的不稳定现象仍然少于22nm工艺。  据平本介绍,值得关注的另一点是,英特尔此次使用了与以前不同的指标来表示FinFET的电流驱动力(漏极电流)。发布22nm工艺技术时,该公司给出了 以Fin周长来进行归一化的漏极电流,而此次则利用Fin的布局宽度进行归一化。因此,电流驱动力很难与以前的工艺简单比较。  台积电未透露细节  台积电发布了16nm工艺块体FinFET技术。该公司在16nm工艺中首次采用了FinFET,此次发布的是其中的第2代工艺技术。该公司已开始进行16nm工艺技术的试产。  台积电的16nm技术采用侧壁工艺形成Fin间距为48nm、栅极间距为90nm的微细图案。栅极长度“估计为25nm左右,可能没有(像英特尔那样)微细化至20nm”。台积电的论文“并未绍特性改善理由等详情,其内容让阅读的人感觉有点失望”。  与采用块体FinFET的英特尔和台积电不同,IBM发布了采用SOI FinFET的14nm工艺技术。利用侧壁工艺实现了Fin间距42nm及栅极间距80nm等。这项技术的另一个特点是,混载存储器采用DRAM而不是 SRAM,实现了0.0174m2的极小单元面积。  与成本相比,IBM更重视性能  采用SOI基板的话,“基板成本会比块硅基板高出数倍,但从制造工艺来看,可轻松形成Fin,而且性能上也有优势,那就是可以消除Fin正下方的寄生容 量”。IBM认为,提高Fin的高度之后,就会与耗电量发生此消彼长的关系,因此该公司“采用了与英特尔不同的优化方法,比如将Fin的高度设置比较 低”。  据平本介绍,IBM的14nm工艺技术组合使用两种栅极工作函数和掺杂工艺,在很大范围内调整了阈值电压,这也是其特点之一。区分使用两种栅极工作函数的方法在技术上“很难实现”。  基于上述三家公司发布的内容,平本表示,在16/14nm之后的工艺技术中,现行的“双栅极构造是否会进化为(用栅极电极全方位包围通道的)栅极环绕 (Gate-All-Around)构造尚不明朗。目前还有一个方向是通过增加Fin高度来获得W(实效栅极宽度),10nm以后工艺的动向值得关注”内容来自www.zgxue.com请勿采集。


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