南大光电ArF光刻胶取得重大突破:可用于7nm工艺

来源:CNBETA  责任编辑:小易  

光电所微细加工光学技术国家重点实验室研制出来的SP光刻机是世界上第一台单次成像达到22纳米的光刻机,结合多重曝光技术,可以用于制备10纳米以下的信息器件。这不仅是世界上光学光刻的一次重大变革,也将加快推进工业4.0,实现中国制造2025的美好愿景。长期以来,我国的光刻技术落后于先进国家,成为我国工业现代化进程的一块短板。2006年,科技部提出了光刻技术的中长期规划,希望中科院的国家重点实验室,能找到一条绕开国外技术壁垒,具有自主知识产权的光刻路径。光电所SP光学光刻机就是绕开了传统的193纳米曝光的技术路线,利用长波长光源也可以得到一个突破衍射极限的分辨率的图形,所以在成本上安全性方面上都会有一个很大的提升,是完全具有知识产权的原创性技术。我以前了解过,光刻机是制造电脑CPU的母机,处于科技领域的最顶层,目前世界上先进光刻机基本被荷兰的ASML公司垄断,CPU芯片制程最先进的是14纳米,不卖中国人,并且卖给中国公司的稍过时的光刻机也有条款不准用于制造像龙心这类自主研发的CPU芯片。美国、日本在这个领域都力不从心,成都太给力了。在技术方面,ASML光刻机可以使用波长为13.5纳米的极紫外光(EUV),实现14纳米、10纳米、和7纳米制程的芯片生产,而通过技术升级,也可以实现9纳米,8纳米,6纳米,5纳米,4纳米乃至3纳米等制程的芯片生产。据悉,台积电购买了ASML的两台NXE 3300B(后来在ASML的帮助下升级到与NXE 3350B相同的技术水平),三星也从ASML采购EUV设备,NXE 3350B和最新的NXE3400光刻机,英特尔同时也采购了数台NXE 3350B。而且NXE 3350B EUV极紫外光刻机主要被用来进行7nm的相关测试和试产。在今年4月,台积电就已经开始代加工其7nm制程的芯片产品,三星在近期推出8nm制程的产品,而英特尔可能生产10nm工艺的产品。从中可以看出,ASML的EUV光刻机成为了他们能否快速实现更低纳米制程量产计划的基础和关键,不管三星、英特尔、台积电围绕着具体制程工艺如何去竞争,ASML终究是背后最大霸主,最大赢家,因为他们谁都离不开他的EUV光刻机www.zgxue.com防采集请勿采集本网。

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不过EUV光刻胶也不是急需的,因为国内目前还没有EUV工艺量产,193nm的ArF光刻胶更加重要,目前国内有多家公司正在攻关中,这种光刻胶可以用于28nm到7nm工艺的先进工艺。

看国产22nm光刻机如何制造10纳米芯片?我国成功研制出世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备???可加工22纳米芯片???大家可自行参考11月29日电国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”29日

今天,南大光电在互动平台表示,公司的ArF光刻胶正在按计划进行客户测试,这意味着国内的ArF光刻胶技术取得了重要突破,从研发开始走向生产。

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根据南大光电公司之前的 消息,公司于2017年开始研发“193nm 光刻胶项目”,已获得国家“02 专项”的相关项目立项,公司计划通过3年的建设、投产及实现销售,达到年产25吨 193nm(ArF干式和浸没式)光刻胶产品的生产规模,产品将满足集成电路行业需求标准。

2018年11月29日,新华社报道称,国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”29日通过验收。据悉,该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制,光刻分辨力达到22纳米,结合双重曝光技术后,未来还可用于

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研制成功中国第一只锗合金扩散晶体管 1957年在王守武和吴锡九的组织领导下,在中国科学院应用物理研究所半导体研究室开始了半导体锗材料与锗晶体管的研究工作。他亲自领导设计制造了中国第一台单晶炉,拉制成功了中国第一根锗单晶。研制成功了中国第一批锗合金结晶体管,并掌握了锗单晶中的掺杂技术。1958年在中国科学院109厂组织开展了锗高频晶体管的批量生产。到1959年底,为研制109乙型计算机的计算技术研究所,提供了12个品种、14万5千多只锗高频合金扩散晶体管,完成了该机所需的半导体器件的生产任务,及时为两弹一星任务提供了技术保证。 成立全国半导体测试中心 1962年锗、硅半导体材料和器件的生产在全国蓬勃发展起来,但是材料与器件质量的检测手段远不能适应客观需要。王守武依据国家科委的决定,在半导体所筹建全国半导体测试中心,并兼任该中心主任。他领导并参与了对半导体材料的电阻率、少数载流子寿命以及锗晶体管频率特性的标准测试方法的研究,建立了相应的标准测试系统。他创造性地提出了一种用触针分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子寿命的新方法。测试中心建成后,经过全国评比,确立了它在国内的权威地位,并随之承担起了全国半导体材料与器件的参数测试中的仲裁任务。 研制成功中国第一只半导体激光器 王守武于1963年在半导体所组建了激光器研究室,并兼任该研究室主任。王守武创新了一种砷化镓光学定向的新方法,大大加快了研制工作的进程,提高了各项工艺的成品率。在王守武的组织领导下,研究室于1964年元旦前夕,研制成功了我国第一只半导体激光器,仅比美国晚了2年。王守武还亲自指导并参与了激光通讯机和激光测距仪的研制工作。我国第一台激光通讯机可以在无连线的情况下,保密通话达3公里以上。王守武提出并设计了从噪声中提取信号的电路,使得激光测距仪的测距能力提高一倍以上。这些研究成果填补了国内空白,有力地支援了现代化建设和国民经济建设。 研制4K与16K位的DRAM大规模集成电路 1978年根据国家的重大需求,王守武承担了4千位的MOS随机存储器这一大规模集成电路的研制任务。他从稳定工艺入手,跟着片子的流程,对工艺线的每道工序进行认真细致的检查;对所用的仪器设备,一件件、一台台地认真检修、改造和革新;对所用超纯水、试剂、超纯气体、光刻胶、超微粒干版、版基玻璃等基础材料,都一一进行认真测试,使之达到所需的质量标准。1979年9月28日,经过投片,这种集成电路的批量成品率达20%以上,最高的达40%,为当时国内大规模集成电路研制中前所未有的最高水平。此后一年内e799bee5baa6e58685e5aeb931333361303132,又研制出16千位的MOS随机存储器大规模集成电路。 改建109厂,建成大规模集成电路生产线 1980年王守武兼任了中国科学院109厂厂长,承担了将4千位大规模集成电路的扩大生产工作。王守武高标准地修改了厂房扩建工程的设计方案,还用很大精力抓原有生产线的技术改造。他组织有关人员重新改造了通风、排气系统,完善了其他一些工艺设施。用很少的资金,不太长的时间,就将老厂房改造成洁净度达1000至10000级并有一定湿控、温控的高净化标准厂房。工厂改造以后,以一个电视机用的集成电路品种进行流片试生产,一次就取得了芯片成品率达50%以上的可喜成果。这是我国第一条靠自己力量建立的年产上百万块中、大规模集成电路的生产线。 基础研究方面 除了完成国家任务以外,王守武还指导和亲自动手做了许多半导体器件和器件物理方面的基础研究工作,其代表性的有:在半导体性能测试方面,提出如:用触针下分布电阻的光电导衰减来测量半导体中少数载流子寿命的方法,用双脉冲法测量锗、硅材料寿命方法,超高频频段内晶体管频率特性的测量方法等。半导体异质结激光器性质的研究,如:AlGaAs/GaAs双异质结激光器低温负阻的研究,双异质结激光器的张弛振荡、本征自脉动和正弦调制行为等。平面Gunn器件的研究,如:Gunn二极管中的雪崩弛豫振荡的研究,对Gunn器件中掺杂梯度引起的静止畴的计算机模拟,平面Gunn器件中静止畴的形成和转变的实验和计算机模拟等。PNPN结构器件的研究,如:低阈值GaAs/AlGaAs PNPN负阻激光器,GaAs/AlGaAs PNPN激光器的自振荡频率特性,GaAs/GaAlAs PNPN负阻激光器的光开关、光双稳特性,半导体双稳激光器的稳定性分析,GaAs/GaAlAs半导体淬灭型双稳现象的实验研究等。器件物理和器件设计的计算机模拟,如:用计算机模拟技术研究薄膜SOI结构中各部分的电势分布和载流子分布,双层多晶硅电极间隙势垒的两维数值模拟等。 1958年由中国科学院院长郭沫若任校长的中国科技大学成立,王守武被聘任该校物理系(二系)副主任和半导体专业的主任,并为高年级学生讲授半导体物理(Ⅱ)课程,直到1980年止。这期间学校半导体专业的教学内容和科研方向都由王守武安排和制订,包括安排学生去半导体研究所实习和做毕业论文。他的辛劳已结出丰硕的果实,他的学生不少现已成为半导体科技领域中的栋梁人才。老年的王守武在颐养天年之余仍不忘祖国后代的培养。自2006年11月起,夫妻捐资40000元在湖北省鄂州市的泽林高中设立“英才奖学金”,专门奖励成绩优异、家境贫困的学子内容来自www.zgxue.com请勿采集。


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