关于单片机EEPROM数据保存的若干经验总结

关于单片机EEPROM数据保存的若干经验总结

因为要保存的数据可能是千变万化的，字长可能从8位到32位,其中包括char(8)、short int(16)、 int(32)、float(32),而不同数据类型在不同体系架构上字长各不相同，复杂点的甚至包括结构体Struct,

因为结构体包含数据大小未知，完成由用户定义，如果保存数据时要考虑到这么多的变化，那能把人都搞晕，因此设计一个以不变应万变的数据保存机制就很好了，好比是复杂平台中的数据串行化保存。

在单片机里面不可能实现这么高级的技术，但是也可以通过一个小小的技巧实现类似功能，方式就是通过联合体来保存，比如下面所示

struct e2prom_data

{

char TEM_compensate;

unsigned int sterilization_temperature[10];//0.1

unsigned char sterilization_time_min[10];

unsigned char exhaust_times;

unsigned char prebalance_time_min;

};

union sector

{

struct e2prom_data sterlization_data;

unsigned char storage[ sizeof(struct e2prom_data) ];

} e2prom;

联合sector代表实际的扇区，大小不能超过扇区大小，而上面的结构体就用来保存真正要用到的变量，然后通过联合体sector里面的unsigned char storage，统一转换成1个字节来保存实际数据，极其方便。

而要读取数据的时候可以通过下面的 void read_sector(char secn)函数来统一操作，把数据统一读取到内存中，确认保存后再通过void write_sector(char secn)统一保存。

效率很高，用内存来缓存数据，可以减小EEPROM擦写次数，提高寿命。

void read_sector(char secn)

{

int i;

int E2prom_sector_start_addr=(secn-1)*512;

for(i=0;i< sizeof(struct e2prom_data);i++)

{

e2prom.storage[i]=Byte_Read( i+ E2prom_sector_start_addr);

}

IAP_Disable();

}

void write_sector(char secn)

{

int i;

int E2prom_sector_start_addr=(secn-1)*512;

Sector_Erase(E2prom_sector_start_addr);

for(i=0;i< sizeof( struct e2prom_data );i++)

{

Byte_Program(i + E2prom_sector_start_addr, e2prom.storage[i]);

}

IAP_Disable();

}

唯一不足的地方是实际数据地址是固定的，如果常年累月读写次数多了的话，EEPROM还是有可能出问题的，下一步改进的地方就是通过实际一个虚拟存储空间来延长EEPROM寿命，

实际方案是比如一个扇区是1K字节，那么把1k分成256个单元，每个单元4个字节，扇区首单元保存扇区状态，剩余255个单元作为实际存储单元，而每个存储单元又分成2+2布局，前两字节保存实际数据，后两字节保存虚拟地址，

1.写入时写入数据紧跟后面写入虚地址VirtAddVarTab[i](0<=i2.每个Page第一个地址写入该页状态(Earse,Reveice,Vild)

相同地址再次写入时不会把上次写的擦掉，而是在模拟EEPROM区尾部未写过的地方再次写入数据、虚地址，

3、 读的时候是从尾部开始匹配地址，也就是读取最后一次写的内容。

4、模拟EEPROM区分为2页，如果一页满了把这一页内地址不重复的数据复制到另一页后擦除，2页交替使用。