等离子体CVD法及其装置

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN02803997.1 （22）申请日 2002.01.21

（71）申请人 石川岛播磨重工业株式会社

地址 日本东京都

（10）申请公布号 CN1489782A （43）申请公布日 2004.04.14

（72）发明人 伊藤宪和

（74）专利代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人 戈泊

（51）Int.CI

H01L21/205; B01J19/08; C23C16/509; H01L31/04; H05H1/46;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

等离子体CVD法及其装置

（57）摘要

本发明的目的是提供等离子体CVD法及装

置，不需要基板的反转工程就可以在基板的两面形成膜厚均一性优良的薄膜。本发明的特征是在

设有气体供给口和排气口的真空室内，配置至少2个具有供电部和接地部的感应耦合型电极，将按照使基板两面露出的方式保持着基板的外周端部的基板保持器插入配置在所述2个感应耦合型电极之间，经所述气体供给口导入薄膜形成用气体，对所述供电部供给高频电力，用来沿着所述感应耦合型电极产生等离子体，从而在基板的两面同时的或顺序地形成薄膜。而且，其特征还在于，将第二气体供给系统与所述真空室连接，在基板的两面同时或顺序地形成不同的薄膜。

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

2004-04-14 公开 2004-04-14 公开

2004-06-23 实质审查的生效 2004-06-23 实质审查的生效 2007-11-14 授权 2007-11-14 授权 2018-02-09

专利权的终止

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权 专利权的终止

权利要求说明书

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说明书

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