专利名称：一种大直径半导体硅片单面抛光的工艺专利类型：发明专利
发明人：张超仁,李星,林涛,孙晨光,王彦君申请号：CN202010391861.2申请日：20200511公开号：CN111730418A公开日：20201002
摘要：本发明公开了一种大直径半导体硅片单面抛光的工艺：其实验工艺包括以下步骤：S1、首先选用直径为200mm的待抛光片，用E+H自动分选仪将硅片按照1μm的厚度差进行分档，分选后装入抛光机专用PFA上料片篮，待抛面朝向片篮H面进行贴片作业，贴片过程中使用
Skyliquid‑KW20163抛光蜡，单片滴蜡量为1.6±0.1ml/片，贴片设备为SCMM‑23系列自动贴片机；S2、然后将贴完的硅片存储在LDU‑23陶瓷盘装载机上，等待抛光，在抛光机操作屏幕上设定抛光工艺，使硅片在加工过程中，满足产品的加工规范，保证较高的抛光良率；S3、加工过程中，用千分表测量硅片厚度，调整粗抛机的中心压力，保证TAPER值在±0.5μm的范围内，将抛光时粗抛大盘转速控制在25±2rpm，中心轮转速在55±2rpm范围。
申请人：中环领先半导体材料有限公司
地址：214200 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道
国籍：CN
代理机构：北京卓特专利代理事务所(普通合伙)
代理人：段宇
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