专利名称：单晶硅的生长方法及其制备的单晶硅锭专利类型：发明专利发明人：肖德元,张汝京申请号：CN201610120860.8申请日：20160303公开号：CN107151817A公开日：20170912
摘要：本发明提供一种单晶硅的生长方法，是以柴氏拉晶法，将置于坩埚内的硅原料熔化而形成熔体，并提拉该熔体而使单晶硅生长的方法，在形成熔体时通入包括氩气气体；以及在提拉步骤中施加磁场。本发明亦提供一种以该单晶硅制备晶圆的方法。
申请人：上海新昇半导体科技有限公司
地址：201306 上海市浦东新区泥城镇云端路1412弄15号3层
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：金华
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